隨著納米技術(shù)的應用日益頻繁，各種納米材料廣泛應用于各類產(chǎn)品當中。碳納米管（CNT）是使用最廣泛的納米材料之一，其年生產(chǎn)量高達上千噸。其生產(chǎn)過程通常會用到金屬催化劑，因此碳納米管表面可能殘留金屬納米粒子。

       測量碳納米管上的金屬含量是一項極大的挑戰(zhàn)。XRF 最大的缺陷是它測量的是樣品的金屬總量，而不是單根或若干根碳納米管上的金屬。TEM 可以測量單根碳納米管上的金屬或納米粒子，但過程十分緩慢冗長，一天之內(nèi)只能測量少數(shù)幾個碳納米管樣品。傳統(tǒng)的 ICP-OES 和 ICP-MS 分析缺陷是它們需要完全消解碳納米管，而鑒于其化學惰性，這將是一項巨大的挑戰(zhàn)。

       單顆粒 ICP-MS（SP-ICP-MS），無需樣品消解，通過監(jiān)測瞬態(tài)金屬信號即可實現(xiàn)金屬量的半定量測量。SP-ICP-MS 還可以在一分鐘之內(nèi)分別對上千根碳納米管進行快速測量，從而預估粒子的個數(shù)和含量。

       使用SP-ICP-MS技術(shù)，可在無需消解碳納米管（一個冗長繁瑣的過程）的情況下準確量化碳納米管中的金屬雜質(zhì)。使用金屬雜質(zhì)的含量可以推測單壁碳納米管的計數(shù)濃度，有效拓展了 ICP-MS 在納米材料領域的應用。